Ο τοπικός αντίπαλος SAM Hynix της Samsung έχει αναδειχθεί ως ο μεγαλύτερος προμηθευτής μνήμης υψηλού εύρους ζώνης στη NVIDIA για τους επιταχυντές του AI. Η Samsung προσπαθεί να πάρει ένα κομμάτι αυτής της πίτας επίσης, αλλά δεν έχει ακόμη καταφέρει να καθαρίσει τη διαδικασία επαλήθευσης ποιότητας της Nvidia.
Εν τω μεταξύ, η Micron έχει θέσει τα βλέμματά του για να πάρει τον αγώνα στους δύο πρώτους κορεατικούς κατασκευαστές μνήμης, SK Hynix και Samsung. Η NVIDIA έχει εγκρίνει τα προϊόντα HBM3E της πέμπτης γενιάς της Micron και η εταιρεία που εδρεύει στις ΗΠΑ έχει ξεκινήσει τώρα μαζική παραγωγή.
Το Micron προσθέτει στα δεινά της Samsung στο τμήμα HBM3E
Η SK Hynix έχει πετάξει σοβαρά την κερδοφορία της Samsung σε αυτό το τμήμα. Μια παραγγελία μνήμης υψηλού εύρους ζώνης από την NVIDIA θα αξίζει δισεκατομμύρια δολάρια, αλλά αυτό εξακολουθεί να διαφεύγει από την εταιρεία. Σαν να προσπαθεί να κλείσει το χάσμα με το SK Hynix δεν ήταν αρκετό, η Samsung πρέπει τώρα να ανησυχεί για το Micron που αναδύεται ως προτιμώμενος δευτερεύων προμηθευτής της Nvidia.
Αρκετές αναφορές δείχνουν ότι τα τσιπ HBM3E της Micron έχουν περάσει τη διαδικασία επαλήθευσης ποιότητας της NVIDIA. Η μαζική παραγωγή έχει αρχίσει τώρα και η Micron θα προμηθεύσει αυτά τα τσιπ για τους επιταχυντές Blackwell Ultra AI της Nvidia. Το Micron είναι τώρα ο δεύτερος κατασκευαστής μνήμης μετά από SK Hynix για να πάρει αυτή την έγκριση, ενώ η Samsung προσπαθεί ακόμα να το πάρει.
Η Micron έχει σήμερα το μικρότερο μερίδιο αγοράς στο τμήμα HBM, αλλά έχει μια δηλωμένη παγκόσμια για το χτύπημα 20% μέχρι το τέλος του τρέχοντος έτους. Είναι ταχέως αυξανόμενη παραγωγική ικανότητα και έχει ανακοινώσει ακόμη μια επένδυση ύψους 7 δισεκατομμυρίων δολαρίων για τη δημιουργία μιας νέας εγκατάστασης κατασκευής τσιπ στη Σιγκαπούρη.
Η επέκταση και η μεγαλύτερη επιρροή στην αγορά θα μπορούσαν να έρθουν στο κόστος της Samsung, ειδικά εάν η εταιρεία δεν είναι σε θέση να διορθώσει τα ζητήματα που μέχρι στιγμής την εμπόδισαν να ενταχθούν στην αλυσίδα εφοδιασμού της Nvidia για προχωρημένη μνήμη υψηλού εύρους ζώνης.
