Η Intel ανακοίνωσε ότι το έργο μνήμης ZAM, το οποίο αναπτύσσεται με τη θυγατρική της SoftBank, ΣΑΙΜΝΗΣΗέχει λάβει μεγάλη ώθηση από την Ιαπωνία.
Στο τελευταίο του πιεστήριοη Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) και η θυγατρική της SoftBank Corp. SAIMEMORY αποκάλυψαν ότι ο Ιαπωνικός NEDO (Οργανισμός Ανάπτυξης Νέας Ενέργειας και Βιομηχανικής Τεχνολογίας) επέλεξε τώρα το ZAM, ένα πρότυπο μνήμης επόμενης γενιάς που θεωρείται ως αντικατάσταση του HBM.
Με την επιλογή του ZAM από το NEDO, το πρόγραμμα θα χρηματοδοτήσει το έργο μέσω κρατικών επιδοτήσεων, επιταχύνοντας την ανάπτυξή του για την αντιμετώπιση κρίσιμων περιορισμών της αγοράς που σχετίζονται με ελλείψεις μνήμης στα τμήματα AI και HPC.
Το έργο ZAM παρουσιάστηκε για πρώτη φορά τον Φεβρουάριο του τρέχοντος έτους, καθώς συνεργάστηκε με τη SoftBank για να επινοήσει μια λύση που λύνει τη συνεχιζόμενη κρίση μνήμης. Το αποτέλεσμα ήταν η μνήμη ZAM ή Z-Angle Memory, σχεδιασμένη για να προσφέρει υψηλή πυκνότητα, εύρος ζώνης, χαμηλή κατανάλωση ενέργειας. Στο πλαίσιο του νέου προγράμματος, η ZAM θα βασιστεί επίσης σε ένα δίκτυο συνεργατών τεχνολογίας, κατασκευής και εφοδιαστικής αλυσίδας στην Ιαπωνία και διεθνώς για να υποστηρίξει τη συνολική ανάπτυξη και εμπορευματοποίηση σε κλίμακα.
“Η Intel έχει αφιερώσει χρόνια αποδεικνύοντας την επιστήμη πίσω από το ZAM, από τα εθνικά εργαστήρια DOE μέχρι την πρωτοβουλία μας για την Επόμενη Γενιά DRAM Bonding. Πιστεύουμε ότι αυτό το βραβείο βάζει αυτή τη δουλειά σε μια γρήγορη πορεία προς την παγκόσμια ανάπτυξη και ενισχύει το είδος της τεχνολογικής συνεργασίας ΗΠΑ-Ιαπωνίας που θα έχει τεράστια σημασία τα επόμενα χρόνια.” δήλωσε ο Makoto Ohno, Πρόεδρος της Intel KK
Βουτώντας λίγο στις τεχνικές πτυχές, η Intel ZAM (Z-Angle Memory) στοχεύει να προσφέρει 40-50% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας, έναν απλοποιημένο σχεδιασμό που οδηγεί σε εύκολη κατασκευή και έως και 512 GB πυκνότητες ανά τσιπ. Κάθε στοίβα μνήμης Z-Angle θα τοποθετηθεί με κλειστά στοιβαγμένα IC DRAM, καθένα συνδεδεμένο μέσω διασυνδέσεων Z-Angle. Κάθε στοίβα θα συνδεθεί με το πρωτεύον υπολογιστικό τσιπ μέσω EMIB κάτω από τη μήτρα βάσης.
Η εισαγωγή του ZAM θα είναι το πρώτο προϊόν μνήμης της Intel εδώ και αρκετές δεκαετίες. Κατά τη διάρκεια των πρώτων ημερών της, η Intel ήταν ένα μεγάλο όνομα στη βιομηχανία κατασκευής μνήμης, αλλά τελικά απωθήθηκε από Ιάπωνες πωλητές και τώρα, οι ιαπωνικές εταιρείες βοηθούν να γίνει το ZAM πραγματικότητα.
Σχετικά με τον συγγραφέα: Μηχανικός Λογισμικού με εκπαίδευση και λάτρης των Η/Υ με πάθος, ο Hassan Mujtaba υπηρετεί ως Senior Editor της Wccftech για το τμήμα υλικού. Με πολυετή εμπειρία στον κλάδο, ειδικεύεται στην τεχνική ανάλυση σε βάθος της επόμενης γενιάς αρχιτεκτονικών CPU και GPU, μητρικών πλακών και λύσεων ψύξης. Η δουλειά του περιλαμβάνει όχι μόνο έκτακτες ειδήσεις για τις επερχόμενες τεχνολογίες, αλλά και εκτενείς πρακτικές κριτικές και συγκριτική αξιολόγηση.
Ακολουθώ Wccftech στο Google για να λαμβάνετε περισσότερες από τις ειδήσεις μας στις ροές δεδομένων σας.
VIA: wccftech.com
